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综述介绍

IPD60R800CEATMA1

IPD60R800CEATMA1

发布时间：2015-08-21

简介：

本文是英飞凌科技公司的IPD60R800CEATMA1的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：剪切带（CT）可替代的包装；系列：CoolMOS™ CE；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：600V；

厂商：英飞凌科技公司
类别：智能电源和管理/智能电源/太阳能微逆变器/CoolMOS High Voltage Power MOSFETs/
主要规格参数:
包装：剪切带（CT）可替代的包装
系列：CoolMOS™ CE
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：600V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：5.6A（Tc）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：800 毫欧 @ 2A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 170µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：17.2nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：373pF @ 100V
功率-最大值：48W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：TO-252-3

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