Datasheets Center

中电网首页

产品索引 > 智能电源和管理 > 智能电源 > 太阳能微逆变器 > CoolMOS High Voltage Power MOSFETs > IPD60R650CEATMA1

综述介绍

IPD60R650CEATMA1

IPD60R650CEATMA1

发布时间：2015-08-21

简介：

本文是英飞凌科技公司的IPD60R650CEATMA1的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：Digi-Reel® 可替代的包装；系列：CoolMOS™ CE；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：600V；

厂商：英飞凌科技公司
类别：智能电源和管理/智能电源/太阳能微逆变器/CoolMOS High Voltage Power MOSFETs/
主要规格参数:
包装：Digi-Reel® 可替代的包装
系列：CoolMOS™ CE
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：600V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：7A（Tc）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：650 毫欧 @ 2.4A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 200µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：20.5nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：440pF @ 100V
功率-最大值：63W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：TO-252-3

PDF 下载

中电网中国电子行业研发工程师一站式服务平台

关于中电网| 广告招商| 联系我们| 招聘信息| 友情链接| 中电网导航| 手机中电网 | 中电网官方微博

Copyright © 2000-2024 中电网版权所有京ICP备19016262号-2 增值电信业务经营许可证粤B2-20050142 京公网安备 11010802037127号