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综述介绍

IDH08G65C5

IDH08G65C5

发布时间：2015-08-21

简介：

本文是英飞凌科技公司的IDH08G65C5的数据表，它是属于分立半导体产品单二极管/整流器。具体规格参数如下：包装：管件；系列：thinQ!™；二极管类型：碳化硅肖特基；电压-DC反向（Vr）（最大值）：650V；电流-平均整流（Io）：8A（DC）；

厂商：英飞凌科技公司
类别：智能电源和管理/智能电源/太阳能微逆变器/thinQ! SiC Diode/
主要规格参数:
包装：管件
系列：thinQ!™
二极管类型：碳化硅肖特基
电压-DC反向（Vr）（最大值）：650V
电流-平均整流（Io）：8A（DC）
不同If时的电压-正向（Vf）：1.7V @ 8A
速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
反向恢复时间（trr）：0ns
不同Vr时的电流-反向漏电流：280µA @ 650V
不同Vr，F时的电容：250pF @ 1V，1MHz
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-2
供应商器件封装：PG-TO220-2
工作温度-结：-55°C ~ 175°C

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