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IPD60R3K3C6

IPD60R3K3C6

发布时间:2015-08-21
简介:

本文是英飞凌科技公司的IPD60R3K3C6的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下:包装:带卷(TR) 可替代的包装;系列:CoolMOS™;FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物;FET功能:标准;漏源极电压(Vdss):600V;


  • 厂商:英飞凌科技公司
  • 类别: 智能电源和管理/智能电源/太阳能微逆变器/CoolMOS MOSFETs/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装:带卷(TR) 可替代的包装
  • 系列:CoolMOS™
  • FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET功能:标准
  • 漏源极电压(Vdss):600V
  • 电流-连续漏极(Id)(25°C时):1.7A(Tc)
  • 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):3.3 欧姆 @ 500mA,10V
  • 不同Id时的Vgs(th)(最大值):3.5V @ 40µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):4.6nC @ 10V
  • 不同Vds时的输入电容(Ciss):93pF @ 100V
  • 功率-最大值:18.1W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商器件封装:PG-TO252-3
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