STL80N75F6

发布时间：2015-08-21

简介：

本文是意法半导体公司的STL80N75F6的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：Digi-Reel® 可替代的包装；系列：DeepGATE™，STripFET™ VI；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：75V；

厂商：意法半导体公司
类别：智能电源和管理/能源和智能电网/再生能源发电和能量收集/Power Transistors/
主要规格参数:
包装：Digi-Reel® 可替代的包装
系列：DeepGATE™，STripFET™ VI
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：75V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：80A（Tc）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：6.3 毫欧 @ 9A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：100nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：7120pF @ 25V
功率-最大值：80W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-PowerVDFN
供应商器件封装：PowerFlat™（5x6）

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