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STH180N10F3-2

STH180N10F3-2

发布时间：2015-08-21
简介：

本文是意法半导体公司的STH180N10F3-2的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下：包装：剪切带（CT） 可替代的包装；系列：STripFET™ III；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：100V；


  • 厂商：意法半导体公司
  • 类别： 智能电源和管理/能源和智能电网/再生能源发电和能量收集/Power Transistors/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：剪切带（CT） 可替代的包装
  • 系列：STripFET™ III
  • FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET功能：标准
  • 漏源极电压（Vdss）：100V
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：180A（Tc）
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：4.5 毫欧 @ 60A，10V
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：114.6nC @ 10V
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：6665pF @ 25V
  • 功率-最大值：315W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 凸片）变型
  • 供应商器件封装：H²PAK
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