STH275N8F7-6AG
发布时间:2015-08-21
简介:
本文是意法半导体公司的STH275N8F7-6AG的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下:包装:带卷(TR) 可替代的包装;系列:自动,AEC-Q101,STripFET™ F7;FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物;FET功能:标准;漏源极电压(Vdss):80V;
- 厂商:意法半导体公司
- 类别:
智能电源和管理/能源和智能电网/再生能源发电和能量收集/Power Transistors/
- 主要规格参数:
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- 包装:带卷(TR) 可替代的包装
- 系列:自动,AEC-Q101,STripFET™ F7
- FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET功能:标准
- 漏源极电压(Vdss):80V
- 电流-连续漏极(Id)(25°C时):180A(Tc)
- 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):2.1 毫欧 @ 90A,10V
- 不同Id时的Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA
- 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):193nC @ 10V
- 不同Vds时的输入电容(Ciss):13600pF @ 50V
- 功率-最大值:315W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片)
- 供应商器件封装:H2PAK-6