STL75N8LF6

发布时间：2015-08-22

简介：

本文是意法半导体公司的STL75N8LF6的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：Digi-Reel® 可替代的包装；系列：DeepGATE™，STripFET™ VI；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：80V；

厂商：意法半导体公司
类别：智能电源和管理/能源和智能电网/再生能源发电和能量收集/Power Transistors/
主要规格参数:
包装：Digi-Reel® 可替代的包装
系列：DeepGATE™，STripFET™ VI
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：80V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：75A（Tc）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：7.4 毫欧 @ 9A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：125nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：6895pF @ 25V
功率-最大值：80W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-PowerVDFN
供应商器件封装：PowerFlat™（5x6）

PDF 下载