STH110N10F7-2

发布时间：2015-08-21

简介：

本文是意法半导体公司的STH110N10F7-2的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：剪切带（CT）可替代的包装；系列：DeepGATE™，STripFET™ VII；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：100V；

厂商：意法半导体公司
类别：智能电源和管理/能源和智能电网/再生能源发电和能量收集/Power Transistors/
主要规格参数:
包装：剪切带（CT）可替代的包装
系列：DeepGATE™，STripFET™ VII
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：100V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：110A（Tc）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：6.5 毫欧 @ 55A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：72nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：5117pF @ 50V
功率-最大值：150W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 凸片）变型
供应商器件封装：H²PAK

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