STB120N10F4
发布时间:2015-08-22
简介:
本文是意法半导体公司的STB120N10F4的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下:包装:带卷(TR);安装类型:表面贴装;封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB;供应商器件封装:D2PAK;
- 厂商:意法半导体公司
- 类别:
智能电源和管理/能源和智能电网/再生能源发电和能量收集/Power Transistors/
- 主要规格参数:
-
- 包装:带卷(TR)
- 系列:-
- FET类型:-
- FET功能:-
- 漏源极电压(Vdss):-
- 电流-连续漏极(Id)(25°C时):-
- 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):-
- 不同Id时的Vgs(th)(最大值):-
- 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):-
- 不同Vds时的输入电容(Ciss):-
- 功率-最大值:-
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商器件封装:D2PAK