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STL8DN10LF3

STL8DN10LF3

发布时间：2015-08-20
简介：

本文是意法半导体公司的STL8DN10LF3的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。 具体规格参数如下：包装：剪切带（CT） 可替代的包装；系列：STripFET™ III；FET类型：2 个 N 沟道（双）；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：100V；


  • 厂商：意法半导体公司
  • 类别： 智能电源和管理/能源和智能电网/再生能源发电和能量收集/Power Transistors/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：剪切带（CT） 可替代的包装
  • 系列：STripFET™ III
  • FET类型：2 个 N 沟道（双）
  • FET功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压（Vdss）：100V
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：20A
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：35 毫欧 @ 4A，10V
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：3V @ 250µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：20.5nC @ 10V
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：970pF @ 25V
  • 功率-最大值：70W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-PowerVDFN
  • 供应商器件封装：PowerFlat™（5x6）
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