Datasheets Center

中电网首页

产品索引 > 智能电源和管理 > 能源和智能电网 > 再生能源发电和能量收集 > MOSFET/IGBT drivers > L6393D

综述介绍

L6393D

L6393D

发布时间：2015-08-16

简介：

本文是意法半导体公司的L6393D的数据表，它是属于集成电路（IC） PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关。具体规格参数如下：包装：管件可替代的包装；配置：半桥；输入类型：非反相；延迟时间：125ns；电流-峰值：270mA；

厂商：意法半导体公司
类别：智能电源和管理/能源和智能电网/再生能源发电和能量收集/MOSFET/IGBT drivers/
主要规格参数:
包装：管件可替代的包装
系列：-
配置：半桥
输入类型：非反相
延迟时间：125ns
电流-峰值：270mA
配置数：1
输出数：2
高压侧电压-最大值（自举）：600V
电压-电源：-
工作温度：-40°C ~ 125°C
安装类型：表面贴装
封装/外壳：14-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装：14-SO

PDF 下载

中电网中国电子行业研发工程师一站式服务平台

关于中电网| 广告招商| 联系我们| 招聘信息| 友情链接| 中电网导航| 手机中电网 | 中电网官方微博

Copyright © 2000-2024 中电网版权所有京ICP备19016262号-2 增值电信业务经营许可证粤B2-20050142 京公网安备 11010802037127号