中电网首页

产品索引  > 智能电源和管理 > 能源和智能电网 > 再生能源发电和能量收集 > Power transisators  >  STF10N65K3

STF10N65K3

STF10N65K3

发布时间:2015-08-21
简介:

本文是意法半导体公司的STF10N65K3的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下:包装:管件;系列:SuperMESH3™;FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物;FET功能:标准;漏源极电压(Vdss):650V;


  • 厂商:意法半导体公司
  • 类别: 智能电源和管理/能源和智能电网/再生能源发电和能量收集/Power transisators/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装:管件
  • 系列:SuperMESH3™
  • FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET功能:标准
  • 漏源极电压(Vdss):650V
  • 电流-连续漏极(Id)(25°C时):10A(Tc)
  • 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):1 欧姆 @ 3.6A,10V
  • 不同Id时的Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):42nC @ 10V
  • 不同Vds时的输入电容(Ciss):1180pF @ 25V
  • 功率-最大值:35W
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3 整包
  • 供应商器件封装:TO-220FP
PDF 下 载
下载