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STB24N65M2

STB24N65M2

发布时间:2015-08-21
简介:

本文是意法半导体公司的STB24N65M2的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下:包装:剪切带(CT) 可替代的包装;系列:MDmesh™ M2;FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物;FET功能:逻辑电平门;漏源极电压(Vdss):650V;


  • 厂商:意法半导体公司
  • 类别: 智能电源和管理/能源和智能电网/再生能源发电和能量收集/Power transisators/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装:剪切带(CT) 可替代的包装
  • 系列:MDmesh™ M2
  • FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压(Vdss):650V
  • 电流-连续漏极(Id)(25°C时):16A(Tc)
  • 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):230 毫欧 @ 8A,10V
  • 不同Id时的Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):29nC @ 10V
  • 不同Vds时的输入电容(Ciss):1060pF @ 100V
  • 功率-最大值:150W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商器件封装:D2PAK
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