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综述介绍

STP10N65K3

STP10N65K3

发布时间：2015-08-22

简介：

本文是意法半导体公司的STP10N65K3的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：管件；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：650V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：10A（Tc）；

厂商：意法半导体公司
类别：智能电源和管理/能源和智能电网/再生能源发电和能量收集/Power transisators/
主要规格参数:
包装：管件
系列：-
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：650V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：10A（Tc）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：1 欧姆 @ 3.6A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4.5V @ 100µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：42nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：1180pF @ 25V
功率-最大值：150W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220

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