STGDL6NC60DIT4
发布时间:2015-08-20
简介:
本文是意法半导体公司的STGDL6NC60DIT4的数据表,它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。 具体规格参数如下:包装:剪切带(CT) 可替代的包装;系列:PowerMESH™;电压-集射极击穿(最大值):600V;电流-集电极(Ic)(最大值):13A;脉冲电流-集电极(Icm):18A;
- 厂商:意法半导体公司
- 类别:
智能电源和管理/能源和智能电网/再生能源发电和能量收集/Power transisators/
- 主要规格参数:
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- 包装:剪切带(CT) 可替代的包装
- 系列:PowerMESH™
- IGBT类型:-
- 电压-集射极击穿(最大值):600V
- 电流-集电极(Ic)(最大值):13A
- 脉冲电流-集电极(Icm):18A
- 不同Vge,Ic时的Vce(on):2.9V @ 15V,3A
- 功率-最大值:50W
- 开关能量:32µJ(开),24µJ(关)
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:12nC
- 25°C时Td(开/关)值:6.7ns/46ns
- 测试条件:390V,3A,10 欧姆,15V
- 反向恢复时间(trr):23ns
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 安装类型:表面贴装
- 供应商器件封装:D-Pak