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STGP19NC60SD

STGP19NC60SD

发布时间：2015-08-20
简介：

本文是意法半导体公司的STGP19NC60SD的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。 具体规格参数如下：包装：管件 可替代的包装；系列：PowerMESH™；电压-集射极击穿（最大值）：600V；电流-集电极（Ic）（最大值）：40A；脉冲电流-集电极(Icm)：80A；


  • 厂商：意法半导体公司
  • 类别： 智能电源和管理/能源和智能电网/再生能源发电和能量收集/Power transisators/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：管件 可替代的包装
  • 系列：PowerMESH™
  • IGBT类型：-
  • 电压-集射极击穿（最大值）：600V
  • 电流-集电极（Ic）（最大值）：40A
  • 脉冲电流-集电极(Icm)：80A
  • 不同Vge，Ic时的Vce（on）：1.9V @ 15V，12A
  • 功率-最大值：130W
  • 开关能量：135µJ（开），815µJ（关）
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：54.5nC
  • 25°C时Td（开/关）值：17.5ns/175ns
  • 测试条件：480V，12A，10 欧姆，15V
  • 反向恢复时间（trr）：31ns
  • 封装/外壳：TO-220-3
  • 安装类型：通孔
  • 供应商器件封装：TO-220
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