NTLJF3117PTAG

发布时间：2015-08-23

简介：

本文是安森美半导体公司的NTLJF3117PTAG的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）；FET类型：MOSFET P 通道，金属氧化物；FET功能：二极管（隔离式）；漏源极电压（Vdss）：20V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：2.3A（Ta）；

厂商：安森美半导体公司
类别：智能电源和管理/能源和智能电网/充电器/Constant current constant voltage charging control/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）
系列：-
FET类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET功能：二极管（隔离式）
漏源极电压（Vdss）：20V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：2.3A（Ta）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：100 毫欧 @ 2A，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：6.2nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：531pF @ 10V
功率-最大值：710mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：6-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：6-WDFN（2x2）

PDF 下载