ATP405-TL-H

发布时间：2015-08-21

简介：

本文是安森美半导体公司的ATP405-TL-H的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：剪切带（CT）可替代的包装；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：100V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：40A（Ta）；

厂商：安森美半导体公司
类别：智能电源和管理/能源和智能电网/充电器/Battery protection/
主要规格参数:
包装：剪切带（CT）可替代的包装
系列：-
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：100V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：40A（Ta）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：33 毫欧 @ 20A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：-
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：68nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：4000pF @ 20V
功率-最大值：70W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：ATPAK（2 引线 + 接片）
供应商器件封装：ATPAK

PDF 下载