BBS3002-DL-E
发布时间:2015-08-23
简介:
本文是安森美半导体公司的BBS3002-DL-E的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下:包装:带卷(TR);FET类型:MOSFET P 通道,金属氧化物;FET功能:逻辑电平门;漏源极电压(Vdss):60V;电流-连续漏极(Id)(25°C时):100A(Ta);
- 厂商:安森美半导体公司
- 类别:
智能电源和管理/能源和智能电网/充电器/Battery protection/
- 主要规格参数:
-
- 包装:带卷(TR)
- 系列:-
- FET类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET功能:逻辑电平门
- 漏源极电压(Vdss):60V
- 电流-连续漏极(Id)(25°C时):100A(Ta)
- 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):5.8 毫欧 @ 50A,10V
- 不同Id时的Vgs(th)(最大值):-
- 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):280nC @ 10V
- 不同Vds时的输入电容(Ciss):13200pF @ 20V
- 功率-最大值:90W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商器件封装:SMP-FD