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ECH8651R-TL-H

ECH8651R-TL-H

发布时间:2015-08-20
简介:

本文是安森美半导体公司的ECH8651R-TL-H的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。 具体规格参数如下:包装:Digi-Reel® 可替代的包装;FET类型:2 个 N 沟道(双);FET功能:逻辑电平门;漏源极电压(Vdss):24V;电流-连续漏极(Id)(25°C时):10A;


  • 厂商:安森美半导体公司
  • 类别: 智能电源和管理/能源和智能电网/充电器/Battery protection/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装:Digi-Reel® 可替代的包装
  • 系列:-
  • FET类型:2 个 N 沟道(双)
  • FET功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压(Vdss):24V
  • 电流-连续漏极(Id)(25°C时):10A
  • 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):14 毫欧 @ 5A,4.5V
  • 不同Id时的Vgs(th)(最大值):-
  • 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):24nC @ 10V
  • 不同Vds时的输入电容(Ciss):-
  • 功率-最大值:1.5W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-SMD,扁平引线
  • 供应商器件封装:8-ECH
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