ECH8651R-TL-HX
发布时间:2015-08-20
简介:
本文是安森美半导体公司的ECH8651R-TL-HX的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。 具体规格参数如下:包装:带卷(TR);FET类型:2 个 N 沟道(双);FET功能:逻辑电平门;漏源极电压(Vdss):24V;电流-连续漏极(Id)(25°C时):10A;
- 厂商:安森美半导体公司
- 类别:
智能电源和管理/能源和智能电网/充电器/Battery protection/
- 主要规格参数:
-
- 包装:带卷(TR)
- 系列:-
- FET类型:2 个 N 沟道(双)
- FET功能:逻辑电平门
- 漏源极电压(Vdss):24V
- 电流-连续漏极(Id)(25°C时):10A
- 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):14 毫欧 @ 5A,4.5V
- 不同Id时的Vgs(th)(最大值):-
- 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):24nC @ 10V
- 不同Vds时的输入电容(Ciss):-
- 功率-最大值:1.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SMD,扁平引线
- 供应商器件封装:8-ECH