RB521S30T1G

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是安森美半导体公司的RB521S30T1G的数据表，它是属于分立半导体产品单二极管/整流器。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）可替代的包装；二极管类型：肖特基；电压-DC反向（Vr）（最大值）：30V；电流-平均整流（Io）：200mA（DC）；不同If时的电压-正向（Vf）：500mV @ 200mA；

厂商：安森美半导体公司
类别：智能电源和管理/能源和智能电网/充电器/Battery protection/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：-
二极管类型：肖特基
电压-DC反向（Vr）（最大值）：30V
电流-平均整流（Io）：200mA（DC）
不同If时的电压-正向（Vf）：500mV @ 200mA
速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间（trr）：-
不同Vr时的电流-反向漏电流：30µA @ 10V
不同Vr，F时的电容：-
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SC-79，SOD-523
供应商器件封装：SOD-523
工作温度-结：-55°C ~ 125°C

PDF 下载