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NTLJS3113PT1G

NTLJS3113PT1G

发布时间：2015-08-21
简介：

本文是安森美半导体公司的NTLJS3113PT1G的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下：包装：带卷（TR） 可替代的包装；系列：µCool™；FET类型：MOSFET P 通道，金属氧化物；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：20V；


  • 厂商：安森美半导体公司
  • 类别： 智能电源和管理/能源和智能电网/充电器/battery/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：带卷（TR） 可替代的包装
  • 系列：µCool™
  • FET类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压（Vdss）：20V
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：3.5A（Ta）
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：40 毫欧 @ 3A，4.5V
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1V @ 250µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：15.7nC @ 4.5V
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：1329pF @ 16V
  • 功率-最大值：700mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：6-WDFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装：6-WDFN（2x2）
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