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综述介绍

ECH8651R-TL-H

ECH8651R-TL-H

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是安森美半导体公司的ECH8651R-TL-H的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。具体规格参数如下：包装：剪切带（CT）可替代的包装；FET类型：2 个 N 沟道（双）；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：24V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：10A；

厂商：安森美半导体公司
类别：智能电源和管理/能源和智能电网/充电器/battery/
主要规格参数:
包装：剪切带（CT）可替代的包装
系列：-
FET类型：2 个 N 沟道（双）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：24V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：10A
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：14 毫欧 @ 5A，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：-
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：24nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：-
功率-最大值：1.5W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SMD，扁平引线
供应商器件封装：8-ECH

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