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BSB014N04LX3 G

BSB014N04LX3 G

发布时间:2015-08-21
简介:

本文是英飞凌科技公司的BSB014N04LX3 G的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下:包装:带卷(TR) 可替代的包装;系列:OptiMOS™;FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物;FET功能:逻辑电平门;漏源极电压(Vdss):40V;


  • 厂商:英飞凌科技公司
  • 类别: 智能电源和管理/能源和智能电网/消费类开关电源/Rectification/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装:带卷(TR) 可替代的包装
  • 系列:OptiMOS™
  • FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压(Vdss):40V
  • 电流-连续漏极(Id)(25°C时):36A(Ta),180A(Tc)
  • 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):1.4 毫欧 @ 30A,10V
  • 不同Id时的Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):196nC @ 10V
  • 不同Vds时的输入电容(Ciss):16900pF @ 20V
  • 功率-最大值:89W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:3-WDSON
  • 供应商器件封装:MG-WDSON-2,CanPAK M™
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