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IPB049NE7N3 G

IPB049NE7N3 G

发布时间：2015-08-21
简介：

本文是英飞凌科技公司的IPB049NE7N3 G的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下：包装：带卷（TR） 可替代的包装；系列：OptiMOS™；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：75V；


  • 厂商：英飞凌科技公司
  • 类别： 智能电源和管理/能源和智能电网/消费类开关电源/Hotswap/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：带卷（TR） 可替代的包装
  • 系列：OptiMOS™
  • FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET功能：标准
  • 漏源极电压（Vdss）：75V
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：80A（Tc）
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：4.9 毫欧 @ 80A，10V
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：3.8V @ 91µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：68nC @ 10V
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：4750pF @ 37.5V
  • 功率-最大值：150W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
  • 供应商器件封装：PG-TO263-3
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