IPB016N06L3 G
发布时间:2015-08-21
简介:
本文是英飞凌科技公司的IPB016N06L3 G的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下:包装:Digi-Reel® 可替代的包装;系列:OptiMOS™;FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物;FET功能:逻辑电平门;漏源极电压(Vdss):60V;
- 厂商:英飞凌科技公司
- 类别:
智能电源和管理/能源和智能电网/消费类开关电源/Hotswap/
- 主要规格参数:
-
- 包装:Digi-Reel® 可替代的包装
- 系列:OptiMOS™
- FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET功能:逻辑电平门
- 漏源极电压(Vdss):60V
- 电流-连续漏极(Id)(25°C时):180A(Tc)
- 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):1.6 毫欧 @ 100A,10V
- 不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.2V @ 196µA
- 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):166nC @ 4.5V
- 不同Vds时的输入电容(Ciss):28000pF @ 30V
- 功率-最大值:250W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB
- 供应商器件封装:PG-TO263-7