IPI020N06N
发布时间:2015-08-21
简介:
本文是英飞凌科技公司的IPI020N06N的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下:包装:散装;系列:OptiMOS™;FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物;FET功能:逻辑电平门;漏源极电压(Vdss):60V;
- 厂商:英飞凌科技公司
- 类别:
智能电源和管理/能源和智能电网/消费类开关电源/Battery Protection/
- 主要规格参数:
-
- 包装:散装
- 系列:OptiMOS™
- FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET功能:逻辑电平门
- 漏源极电压(Vdss):60V
- 电流-连续漏极(Id)(25°C时):29A(Ta),120A(Tc)
- 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):2 毫欧 @ 100A,10V
- 不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.8V @ 143µA
- 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):106nC @ 10V
- 不同Vds时的输入电容(Ciss):7800pF @ 30V
- 功率-最大值:3W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
- 供应商器件封装:PG-TO262-3