BSC072N03LD G
发布时间:2015-08-20
简介:
本文是英飞凌科技公司的BSC072N03LD G的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。 具体规格参数如下:包装:Digi-Reel® 可替代的包装;系列:OptiMOS™;FET类型:2 个 N 沟道(双);FET功能:逻辑电平门;漏源极电压(Vdss):30V;
- 厂商:英飞凌科技公司
- 类别:
智能电源和管理/能源和智能电网/消费类开关电源/Or-ing/
- 主要规格参数:
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- 包装:Digi-Reel® 可替代的包装
- 系列:OptiMOS™
- FET类型:2 个 N 沟道(双)
- FET功能:逻辑电平门
- 漏源极电压(Vdss):30V
- 电流-连续漏极(Id)(25°C时):11.5A
- 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):7.2 毫欧 @ 20A,10V
- 不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250µA
- 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):41nC @ 10V
- 不同Vds时的输入电容(Ciss):3500pF @ 15V
- 功率-最大值:57W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
- 供应商器件封装:PG-TDSON-8(5.15x6.15)