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STL90N3LLH6

STL90N3LLH6

发布时间:2015-08-21
简介:

本文是意法半导体公司的STL90N3LLH6的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下:包装:剪切带(CT) 可替代的包装;系列:DeepGATE™,STripFET™ VI;FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物;FET功能:逻辑电平门;漏源极电压(Vdss):30V;


  • 厂商:意法半导体公司
  • 类别: 智能电源和管理/智能电表/电能表/Breaker Control/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装:剪切带(CT) 可替代的包装
  • 系列:DeepGATE™,STripFET™ VI
  • FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压(Vdss):30V
  • 电流-连续漏极(Id)(25°C时):90A(Tc)
  • 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):4.5 毫欧 @ 12A,10V
  • 不同Id时的Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):17nC @ 4.5V
  • 不同Vds时的输入电容(Ciss):1690pF @ 25V
  • 功率-最大值:60W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-PowerVDFN
  • 供应商器件封装:PowerFlat™(6x5)
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