STI55NF03L
发布时间:2015-08-21
简介:
本文是意法半导体公司的STI55NF03L的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下:包装:管件;系列:STripFET™ II;FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物;FET功能:逻辑电平门;漏源极电压(Vdss):30V;
- 厂商:意法半导体公司
- 类别:
智能电源和管理/智能电表/电能表/Breaker Control/
- 主要规格参数:
-
- 包装:管件
- 系列:STripFET™ II
- FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET功能:逻辑电平门
- 漏源极电压(Vdss):30V
- 电流-连续漏极(Id)(25°C时):55A(Tc)
- 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):13 毫欧 @ 27.5A,10V
- 不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA
- 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):27nC @ 4.5V
- 不同Vds时的输入电容(Ciss):1265pF @ 25V
- 功率-最大值:80W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
- 供应商器件封装:I2PAK