STL11N3LLH6

发布时间：2015-08-21

简介：

本文是意法半导体公司的STL11N3LLH6的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：剪切带（CT）可替代的包装；系列：DeepGATE™，STripFET™ VI；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：30V；

厂商：意法半导体公司
类别：智能电源和管理/智能电表/电能表/Breaker Control/
主要规格参数:
包装：剪切带（CT）可替代的包装
系列：DeepGATE™，STripFET™ VI
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：30V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：11A（Tpcb）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：7.5 毫欧 @ 5.5A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1V @ 250µA（最小）
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：17nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：1690pF @ 24V
功率-最大值：50W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-PowerVDFN
供应商器件封装：PowerFlat™（3.3x3.3）

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