STL160NS3LLH7

发布时间：2015-08-21

简介：

本文是意法半导体公司的STL160NS3LLH7的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）可替代的包装；系列：DeepGATE™，STripFET™ VII；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：30V；

厂商：意法半导体公司
类别：智能电源和管理/智能电表/电能表/Breaker Control/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：DeepGATE™，STripFET™ VII
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：30V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：160A（Tc）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：2.1 毫欧 @ 18A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.3V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：20nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：3245pF @ 25V
功率-最大值：100W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-PowerVDFN
供应商器件封装：PowerFlat™（5x6）

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