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STS8DN3LLH5

STS8DN3LLH5

发布时间：2015-08-20
简介：

本文是意法半导体公司的STS8DN3LLH5的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。 具体规格参数如下：包装：剪切带（CT） 可替代的包装；系列：STripFET™ V；FET类型：2 个 N 沟道（双）；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：30V；


  • 厂商：意法半导体公司
  • 类别： 智能电源和管理/智能电表/电能表/Breaker Control/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：剪切带（CT） 可替代的包装
  • 系列：STripFET™ V
  • FET类型：2 个 N 沟道（双）
  • FET功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压（Vdss）：30V
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：10A
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：19 毫欧 @ 5A，10V
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1V @ 250µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：5.4nC @ 4.5V
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：724pF @ 25V
  • 功率-最大值：2.7W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
  • 供应商器件封装：8-SO
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