MRF8HP21080HR3
发布时间:2015-08-19
简介:
本文是飞思卡尔半导体的MRF8HP21080HR3的数据表,它是属于分立半导体产品 RF FET。 具体规格参数如下:包装:带卷(TR) 可替代的包装;晶体管类型:LDMOS(双);频率:2.17GHz;增益:14.4dB;电压-测试:28V;
- 厂商:飞思卡尔半导体
- 类别:
互联互通/网络与电信基础/基站/LTE RF PA /
- 主要规格参数:
-
- 包装:带卷(TR) 可替代的包装
- 系列:-
- 晶体管类型:LDMOS(双)
- 电压-集射极击穿(最大值):-
- 频率:2.17GHz
- 增益:14.4dB
- 频率-跃迁:-
- 噪声系数(dB,不同f时的典型值):-
- 电压-测试:28V
- 额定电流:-
- 功率-最大值:-
- 噪声系数:-
- 不同Ic,Vce时的DC电流增益(hFE)(最小值):-
- 电流-测试:150mA
- 功率-输出:16W
- 电流-集电极(Ic)(最大值):-
- 安装类型:-
- 电压-额定:65V
- 封装/外壳:NI-780-4
- 供应商器件封装:NI-780-4