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MRFG35003N6AT1

MRFG35003N6AT1

发布时间:2015-08-19
简介:

本文是飞思卡尔半导体的MRFG35003N6AT1的数据表,它是属于分立半导体产品 RF FET。 具体规格参数如下:包装:带卷(TR);晶体管类型:pHEMT FET;频率:3.55GHz;增益:10dB;电压-测试:6V;


  • 厂商:飞思卡尔半导体
  • 类别: 互联互通/网络与电信基础/基站/LTE Radio Subsystem/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装:带卷(TR)
  • 系列:-
  • 晶体管类型:pHEMT FET
  • 电压-集射极击穿(最大值):-
  • 频率:3.55GHz
  • 增益:10dB
  • 频率-跃迁:-
  • 噪声系数(dB,不同f时的典型值):-
  • 电压-测试:6V
  • 额定电流:2.9A
  • 功率-最大值:-
  • 噪声系数:-
  • 不同Ic,Vce时的DC电流增益(hFE)(最小值):-
  • 电流-测试:180mA
  • 功率-输出:3W
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):-
  • 安装类型:-
  • 电压-额定:8V
  • 封装/外壳:PLD-1.5
  • 供应商器件封装:PLD-1.5
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