MRFG35003N6AT1
发布时间:2015-08-19
简介:
本文是飞思卡尔半导体的MRFG35003N6AT1的数据表,它是属于分立半导体产品 RF FET。 具体规格参数如下:包装:带卷(TR);晶体管类型:pHEMT FET;频率:3.55GHz;增益:10dB;电压-测试:6V;
- 厂商:飞思卡尔半导体
- 类别:
互联互通/网络与电信基础/基站/LTE Radio Subsystem/
- 主要规格参数:
-
- 包装:带卷(TR)
- 系列:-
- 晶体管类型:pHEMT FET
- 电压-集射极击穿(最大值):-
- 频率:3.55GHz
- 增益:10dB
- 频率-跃迁:-
- 噪声系数(dB,不同f时的典型值):-
- 电压-测试:6V
- 额定电流:2.9A
- 功率-最大值:-
- 噪声系数:-
- 不同Ic,Vce时的DC电流增益(hFE)(最小值):-
- 电流-测试:180mA
- 功率-输出:3W
- 电流-集电极(Ic)(最大值):-
- 安装类型:-
- 电压-额定:8V
- 封装/外壳:PLD-1.5
- 供应商器件封装:PLD-1.5