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CSD19531Q5AT

CSD19531Q5AT

发布时间：2015-08-21
简介：

本文是德州仪器的CSD19531Q5AT的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下：包装：带卷（TR） 可替代的包装；系列：NexFET™；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：100V；


  • 厂商：德州仪器
  • 类别： 互联互通/网络与电信基础/基站/VPOE/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：带卷（TR） 可替代的包装
  • 系列：NexFET™
  • FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压（Vdss）：100V
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：100A（Ta）
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：6.4 毫欧 @ 16A，10V
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：3.3V @ 250µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：48nC @ 10V
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：3870pF @ 50V
  • 功率-最大值：3.3W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-SMD，扁平引线
  • 供应商器件封装：8-VSON（5x6）
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