HSMS-8209-TR2G

发布时间：2015-08-19

简介：

本文是美国安华高科技有限公司的HSMS-8209-TR2G的数据表，它是属于分立半导体产品 RF 二极管。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）可替代的包装；二极管类型：肖特基 - 交叉；电压-峰值反向（最大值）：4V；不同Vr，F时的电容：0.26pF @ 0V，1MHz；不同If，F时的电阻：14 欧姆 @ 5mA，1MHz；

厂商：美国安华高科技有限公司
类别：互联互通/网络与电信基础/基站/Remote Radio Unit/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：-
二极管类型：肖特基 - 交叉
电压-峰值反向（最大值）：4V
电流-最大值：-
不同Vr，F时的电容：0.26pF @ 0V，1MHz
不同If，F时的电阻：14 欧姆 @ 5mA，1MHz
功率耗散（最大值）：75mW
封装/外壳：TO-253-4，TO-253AA
供应商器件封装：SOT-143-4

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