RS1E200GNTB

发布时间：2015-08-21

简介：

本文是罗姆半导体集团的RS1E200GNTB的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）可替代的包装；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：30V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：20A（Ta）；

厂商：罗姆半导体集团
类别：互联互通/网络与电信基础/光纤接入/MOSFET/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：-
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：30V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：20A（Ta）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：4.6 毫欧 @ 20A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：16.8nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：1080pF @ 15V
功率-最大值：3W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-PowerTDFN
供应商器件封装：8-HSOP

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