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SIZ900DT-T1-GE3

SIZ900DT-T1-GE3

发布时间：2015-08-20
简介：

本文是威世硅尼克斯的SIZ900DT-T1-GE3的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。 具体规格参数如下：包装：带卷（TR） 可替代的包装；系列：TrenchFET®；FET类型：2 个 N 通道（半桥）；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：30V；


  • 厂商：威世硅尼克斯
  • 类别： 互联互通/网络与电信基础/光纤接入/MOSFET/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：带卷（TR） 可替代的包装
  • 系列：TrenchFET®
  • FET类型：2 个 N 通道（半桥）
  • FET功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压（Vdss）：30V
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：24A，28A
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：7.2 毫欧 @ 19.4A，10V
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.4V @ 250µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：45nC @ 10V
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：1830pF @ 15V
  • 功率-最大值：48W，100W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：6-PowerPair™
  • 供应商器件封装：6-PowerPair™
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