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IRFHM830DTRPBF

IRFHM830DTRPBF

发布时间：2015-08-21
简介：

本文是国际整流器公司的IRFHM830DTRPBF的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下：包装：带卷（TR） 可替代的包装；系列：HEXFET®；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：30V；


  • 厂商：国际整流器公司
  • 类别： 互联互通/网络与电信基础/光纤接入/MOSFET/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：带卷（TR） 可替代的包装
  • 系列：HEXFET®
  • FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压（Vdss）：30V
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：20A（Ta），40A（Tc）
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：4.3 毫欧 @ 20A，10V
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.35V @ 50µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：27nC @ 10V
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：1797pF @ 25V
  • 功率-最大值：2.8W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-VQFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装：PQFN（3x3）
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