SK8603180L

发布时间：2015-08-21

简介：

本文是松下电器公司电子元件-半导体产品事业部的SK8603180L的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）可替代的包装；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：30V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：15A（Ta），39A（Tc）；

厂商：松下电器公司电子元件-半导体产品事业部
类别：互联互通/网络与电信基础/光纤接入/MOSFET/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：-
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：30V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：15A（Ta），39A（Tc）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：7.1 毫欧 @ 10A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：3V @ 1.45mA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：9.2nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：1680pF @ 10V
功率-最大值：2.4W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SMD，扁平引线
供应商器件封装：8-HSO

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