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STL120N2VH5

STL120N2VH5

发布时间：2015-08-21
简介：

本文是意法半导体公司的STL120N2VH5的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下：包装：剪切带（CT） 可替代的包装；系列：STripFET™ V；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动；漏源极电压（Vdss）：20V；


  • 厂商：意法半导体公司
  • 类别： 汽车电子/车载通信/车身电子/中央通讯系统/memory/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：剪切带（CT） 可替代的包装
  • 系列：STripFET™ V
  • FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动
  • 漏源极电压（Vdss）：20V
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：120A（Tc）
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：3 毫欧 @ 14A，4.5V
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：700mV @ 250µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：29nC @ 2.5V
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：4660pF @ 15V
  • 功率-最大值：80W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-PowerVDFN
  • 供应商器件封装：PowerFlat™（5x6）
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