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STS6NF20V

STS6NF20V

发布时间：2015-08-21
简介：

本文是意法半导体公司的STS6NF20V的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下：包装：剪切带（CT） 可替代的包装；系列：STripFET™ II；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动；漏源极电压（Vdss）：20V；


  • 厂商：意法半导体公司
  • 类别： 汽车电子/车载通信/车身电子/中央通讯系统/memory/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：剪切带（CT） 可替代的包装
  • 系列：STripFET™ II
  • FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动
  • 漏源极电压（Vdss）：20V
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：6A（Tc）
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：40 毫欧 @ 3A，4.5V
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：600mV @ 250µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：11.5nC @ 4.5V
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：460pF @ 15V
  • 功率-最大值：2.5W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
  • 供应商器件封装：8-SO
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