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STS8C5H30L

STS8C5H30L

发布时间:2015-08-20
简介:

本文是意法半导体公司的STS8C5H30L的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。 具体规格参数如下:包装:Digi-Reel® 可替代的包装;系列:STripFET™ III;FET类型:N 和 P 沟道;FET功能:逻辑电平门;漏源极电压(Vdss):30V;


  • 厂商:意法半导体公司
  • 类别: 汽车电子/车载通信/车身电子/中央通讯系统/memory/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装:Digi-Reel® 可替代的包装
  • 系列:STripFET™ III
  • FET类型:N 和 P 沟道
  • FET功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压(Vdss):30V
  • 电流-连续漏极(Id)(25°C时):8A,5.4A
  • 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):22 毫欧 @ 4A,10V
  • 不同Id时的Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):10nC @ 5V
  • 不同Vds时的输入电容(Ciss):857pF @ 25V
  • 功率-最大值:2W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SO
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