MUN5311DW1T1G
发布时间:2015-08-20
简介:
本文是安森美半导体公司的MUN5311DW1T1G的数据表,它是属于分立半导体产品 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式。 具体规格参数如下:包装:剪切带(CT) 可替代的包装;晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双);电流-集电极(Ic)(最大值):100mA;电压-集射极击穿(最大值):50V;电阻器-基底(R1)(欧姆):10k;
- 厂商:安森美半导体公司
- 类别:
汽车电子/车载通信/车身电子/中央通讯系统/control panel/
- 主要规格参数:
-
- 包装:剪切带(CT) 可替代的包装
- 系列:-
- 晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
- 电流-集电极(Ic)(最大值):100mA
- 电压-集射极击穿(最大值):50V
- 电阻器-基底(R1)(欧姆):10k
- 电阻器-发射极基底(R2)(欧姆):10k
- 不同Ic,Vce时的DC电流增益(hFE)(最小值):35 @ 5mA,10V
- 不同Ib,Ic时的Vce饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA
- 电流-集电极截止(最大值):500nA
- 频率-跃迁:-
- 功率-最大值:250mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商器件封装:SC-88/SC70-6/SOT-363