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NVMFS5834NLWFT1G

NVMFS5834NLWFT1G

发布时间:2015-08-22
简介:

本文是安森美半导体公司的NVMFS5834NLWFT1G的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下:包装:带卷(TR) 可替代的包装;FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物;FET功能:逻辑电平门;漏源极电压(Vdss):40V;电流-连续漏极(Id)(25°C时):14A(Ta),75A(Tc);


  • 厂商:安森美半导体公司
  • 类别: 汽车电子/车载通信/车身电子/中央通讯系统/Power Protection/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装:带卷(TR) 可替代的包装
  • 系列:-
  • FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压(Vdss):40V
  • 电流-连续漏极(Id)(25°C时):14A(Ta),75A(Tc)
  • 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):9.3 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同Id时的Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):24nC @ 10V
  • 不同Vds时的输入电容(Ciss):1231pF @ 20V
  • 功率-最大值:3.6W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-PowerTDFN,5 引线
  • 供应商器件封装:5-DFN,8-SO 扁引线(5x6)
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