BZX84C18LT3G
发布时间:2015-08-21
简介:
本文是安森美半导体公司的BZX84C18LT3G的数据表,它是属于分立半导体产品 单二极管/齐纳。 具体规格参数如下:包装:剪切带(CT) 可替代的包装;电压-齐纳(标称值)(Vz):18V;容差:±6%;功率-最大值:225mW;阻抗(最大值)(Zzt):45 欧姆;
- 厂商:安森美半导体公司
- 类别:
汽车电子/车载通信/车身电子/中央通讯系统/Power Protection/
- 主要规格参数:
-
- 包装:剪切带(CT) 可替代的包装
- 系列:-
- 电压-齐纳(标称值)(Vz):18V
- 容差:±6%
- 功率-最大值:225mW
- 阻抗(最大值)(Zzt):45 欧姆
- 不同Vr时的电流-反向漏电流:50nA @ 12.6V
- 不同If时的电压-正向(Vf):900mV @ 10mA
- 工作温度:-65°C ~ 150°C
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236)