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NVTFS5826NLWFTWG

NVTFS5826NLWFTWG

发布时间:2015-08-22
简介:

本文是安森美半导体公司的NVTFS5826NLWFTWG的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下:包装:带卷(TR);FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物;FET功能:逻辑电平门;漏源极电压(Vdss):60V;电流-连续漏极(Id)(25°C时):7.6A(Ta);


  • 厂商:安森美半导体公司
  • 类别: 汽车电子/车载通信/车身电子/中央通讯系统/Motor drive (window lifters)/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装:带卷(TR)
  • 系列:-
  • FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压(Vdss):60V
  • 电流-连续漏极(Id)(25°C时):7.6A(Ta)
  • 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):24 毫欧 @ 10A,10V
  • 不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):16nC @ 10V
  • 不同Vds时的输入电容(Ciss):850pF @ 25V
  • 功率-最大值:3.2W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-PowerWDFN
  • 供应商器件封装:8-WDFN(3.3x3.3)
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